晶体管 > IGBT

1MBH50D-060S

Fuji Electric Co Ltd

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PL, 3 PIN

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.48

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
生命周期	Obsolete
Objectid	1511921791
零件包装代码	TO-3PL
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	9.48
Samacsys Description	600V / 50A Molded Package, Transistor IGBT
Samacsys Manufacturer	FUJI ELECTRIC
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
YTEOL	0
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)	75 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	600 ns
标称接通时间 (ton)	270 ns

参数规格与技术文档

Fuji Electric Co Ltd