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1MBI2400VD-170E
晶体管 > IGBT

1MBI2400VD-170E

Fuji Electric Co Ltd
Insulated Gate Bipolar Transistor
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.35
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8241805629
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.35
YTEOL 6.62
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 3600 A
集电极-发射极最大电压 1700 V
配置 COMPLEX
门极发射器阈值电压最大值 7 V
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X9
元件数量 3
端子数量 9
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 17640 W
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 2220 ns
标称接通时间 (ton) 2300 ns
VCEsat-Max 2.49 V
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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