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1MBI3600U4D-120
晶体管 > IGBT

1MBI3600U4D-120

Fuji Electric Co Ltd
Insulated Gate Bipolar Transistor, 3600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, M143, 9 PIN
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.26
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1649061900
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数 9
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.26
Samacsys Manufacturer FUJI ELECTRIC
Samacsys Modified On 2016-03-22 07:31:35
YTEOL 0
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 3600 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X9
元件数量 1
端子数量 9
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 1450 ns
标称接通时间 (ton) 3100 ns
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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