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1MBI800UG-330
晶体管 > IGBT

1MBI800UG-330

Fuji Electric Co Ltd
Insulated Gate Bipolar Transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.47
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8246873818
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.47
Samacsys Description Fuji Electric 1MBI800UG-330, M151 , N-Channel IGBT Module, 800 A max, 3300 V, Screw Mount
Samacsys Manufacturer FUJI ELECTRIC
Samacsys Modified On 2019-05-23 14:45:06
YTEOL 6.4
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1330 A
集电极-发射极最大电压 3300 V
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值 7.5 V
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X7
元件数量 1
端子数量 7
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 9600 W
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 2400 ns
标称接通时间 (ton) 3400 ns
VCEsat-Max 2.66 V
参数规格与技术文档
Fuji Electric Co Ltd
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