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2MBI600VG-170E
晶体管 > IGBT

2MBI600VG-170E

FUJITSU Semiconductor Limited
IGBT
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 1247796931
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
YTEOL 6.62
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 800 A
集电极-发射极最大电压 1700 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值 7 V
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X10
元件数量 2
端子数量 10
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 4410 W
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 2070 ns
标称接通时间 (ton) 2280 ns
VCEsat-Max 2.46 V
参数规格与技术文档
FUJITSU Semiconductor Limited
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