Sun Jun 09 2024 23:26:45 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
2MBI900VXA-120E-50
晶体管 > IGBT

2MBI900VXA-120E-50

FUJITSU Semiconductor Limited
IGBT
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 1247796934
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.49
YTEOL 5.35
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1200 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极发射器阈值电压最大值 7 V
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X10
元件数量 2
端子数量 10
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 5100 W
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 1200 ns
标称接通时间 (ton) 1000 ns
VCEsat-Max 2.3 V
参数规格与技术文档
FUJITSU Semiconductor Limited
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消