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2N2993
晶体管 > 功率双极晶体管

2N2993

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.14
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 1819525358
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.14
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60
元件数量 1
最高工作温度 200 °C
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz
参数规格与技术文档
General Transistor Corp
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