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2SC2428
晶体管 > 功率双极晶体管

2SC2428

FUJITSU Semiconductor Limited
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1414420833
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.75
YTEOL 0
其他特性 RING EMITTER TRANSISTOR
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 12 A
集电极-发射极最大电压 180 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15
JEDEC-95代码 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 120 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 80 MHz
最大关闭时间(toff) 2200 ns
VCEsat-Max 0.8 V
参数规格与技术文档
FUJITSU Semiconductor Limited
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