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2SC3843
晶体管 > 功率双极晶体管

2SC3843

FUJITSU Semiconductor Limited
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, TO-3PF, FULL PACK-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1414420903
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
YTEOL 0
其他特性 RING EMITTER TRANSISTOR
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 10 A
集电极-发射极最大电压 450 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 75 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 28 MHz
最大关闭时间(toff) 1700 ns
VCEsat-Max 1 V
参数规格与技术文档
FUJITSU Semiconductor Limited
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