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BC858W-C
晶体管 > 小信号双极晶体管

BC858W-C

KEC
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, USM, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.03
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 1027618169
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.03
YTEOL 2
最大集电极电流 (IC) 0.1 A
集电极-发射极最大电压 30 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 420
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz
参数规格与技术文档
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