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BG75B12LX
晶体管 > IGBT

BG75B12LX

BYD Company Limited
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.46
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 8164314118
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.46
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 75 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码 R-XUFM-X7
元件数量 2
端子数量 7
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 570 ns
标称接通时间 (ton) 225 ns
参数规格与技术文档
BYD Company Limited
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