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CHT-PMOS3008-TO254-T
晶体管 > 功率场效应晶体管

CHT-PMOS3008-TO254-T

Cissoid S A
Power Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254, METAL CAN-3
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.57
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 1299076153
零件包装代码 TO-254
包装说明 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.57
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254
JESD-30 代码 S-MSFM-P3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL
封装形状 SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 10 A
表面贴装 NO
端子面层 NICKEL
端子形式 PIN/PEG
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
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