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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |  含铅 |
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1419807498 |
| 包装说明 | SOJ, SOJ28,.34 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.02 |
| 风险等级 | 9.83 |
| YTEOL | 0 |
| 访问模式 | FAST EDO/STATIC COLUMN |
| 最长访问时间 | 30 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 4MX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ28,.34 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 自我刷新 | NO |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.225 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
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苏公网安备 32059002001873号