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HYB18L128160BC-7.5
存储 > DRAM

HYB18L128160BC-7.5

Qimonda AG
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 12 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, PLASTIC, VFBGA-54
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.54
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1719426367
零件包装代码 BGA
包装说明 VFBGA, BGA54,9X9,32
针数 54
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.54
YTEOL 0
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B54
JESD-609代码 e0
长度 12 mm
内存密度 134217728 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 54
字数 8388608 words
字数代码 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 8MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA
封装等效代码 BGA54,9X9,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified
刷新周期 4096
座面最大高度 1 mm
自我刷新 YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.00035 A
最大压摆率 0.09 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 8 mm
参数规格与技术文档
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