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HYB18T1G160C2FL-3.7
存储 > DRAM

HYB18T1G160C2FL-3.7

Qimonda AG
DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.66
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1893757044
零件包装代码 BGA
包装说明 TFBGA, BGA84,9X15,32
针数 84
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.32
风险等级 9.66
YTEOL 0
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 266 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B84
长度 12.5 mm
内存密度 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR2 DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 84
字数 67108864 words
字数代码 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS
组织 64MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA
封装等效代码 BGA84,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified
刷新周期 8192
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
连续突发长度 4,8
最大待机电流 0.013 A
最大压摆率 0.284 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 8 mm
参数规格与技术文档
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