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IB1012S800
晶体管 > 射频双极晶体管

IB1012S800

Integra Technologies Inc
Transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 113499224
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XDFM-F2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.37
外壳连接 BASE
最大集电极电流 (IC) 32.3 A
集电极-发射极最大电压 85 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10
最高频带 L BAND
JESD-30 代码 R-XDFM-F2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 200 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
最小功率增益 (Gp) 9.5 dB
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Integra Technologies Inc
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