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IB1214M300
晶体管 > 射频双极晶体管

IB1214M300

Integra Technologies Inc
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 8212917743
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.37
外壳连接 BASE
配置 SINGLE
最高频带 L BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Integra Technologies Inc
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