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IDM30512CW50
晶体管 > 射频场效应晶体管

IDM30512CW50

Integra Technologies Inc
Transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.47
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 113398664
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XDFM-F4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.47
外壳连接 SOURCE
配置 COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压 70 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 15 pF
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-XDFM-F4
元件数量 2
端子数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Integra Technologies Inc
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