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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| Objectid | 1491906900 |
| 零件包装代码 | DIE |
| 包装说明 | DIE-2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 8.34 |
| 其他特性 | MEGAFET |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏源导通电阻 | 1.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号