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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 101185670 |
| 包装说明 | DIP, DIP18,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.41 |
| 风险等级 | 9.83 |
| YTEOL | 0 |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T18 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 端子数量 | 18 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 4KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
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苏公网安备 32059002001873号