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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 114040625 |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Taiwan |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.36 |
| 风险等级 | 7.56 |
| YTEOL | 5.35 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 8 |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N204 |
| 长度 | 67.6 mm |
| 内存密度 | 34359738368 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR3L DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 204 |
| 字数 | 536870912 words |
| 字数代码 | 512000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 512MX64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM204,24 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 座面最大高度 | 30.15 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 8 |
| 最大待机电流 | 0.211 A |
| 最大压摆率 | 2.288 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.2825 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.35 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.6 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 3.8 mm |
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苏公网安备 32059002001873号