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M2S8G64CB8HB5N-DI
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M2S8G64CB8HB5N-DI

Nanya Technology Corporation
DRAM
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 114040613
包装说明 ,
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 9.49
YTEOL 0
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK) 800 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 8
JESD-30 代码 R-XZMA-N204
长度 67.6 mm
内存密度 68719476736 bit
内存集成电路类型 DDR3 DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 204
字数 1073741824 words
字数代码 1000000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C
最低工作温度
组织 1GX64
输出特性 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 ZMA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
座面最大高度 30.15 mm
自我刷新 YES
连续突发长度 8
最大待机电流 0.44 A
最大压摆率 2.798 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
端子形式 NO LEAD
端子节距 0.6 mm
端子位置 ZIG-ZAG
宽度 3.8 mm
参数规格与技术文档
Nanya Technology Corporation
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