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MT28C128532W30EBW-F705P706KTBWT
存储 > 其他内存集成电路

MT28C128532W30EBW-F705P706KTBWT

Micron Technology Inc
Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA77, LEAD FREE, FBGA-77
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 2009116279
零件包装代码 BGA
包装说明 LFBGA,
针数 77
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.71
风险等级 9.49
YTEOL 0
其他特性 CELLULARRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16; CONTAINS ADDITIONAL 4M X 16 FLASH
JESD-30 代码 R-PBGA-B77
JESD-609代码 e1
长度 10 mm
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16
功能数量 1
端子数量 77
字数 4194304 words
字数代码 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -25 °C
组织 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 8 mm
参数规格与技术文档
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