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NE32484AS
晶体管 > 射频小信号场效应晶体管

NE32484AS

California Eastern Laboratories (CEL)
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1474412170
包装说明 DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.49
YTEOL 0
其他特性 LOW NOISE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 4 V
最大漏极电流 (ID) 0.07 A
FET 技术 HETERO-JUNCTION
最高频带 X BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F4
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND
封装形式 DISK BUTTON
极性/信道类型 N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 10 dB
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE
参数规格与技术文档
California Eastern Laboratories (CEL)
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