参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Contact Manufacturer |
Objectid | 8302781503 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-F8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 8.6 |
雪崩能效等级(Eas) | 87 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 10 A |
最大漏源导通电阻 | 0.014 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-F8 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 50 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |