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SCB13H2G800AF-15H
存储 > DRAM

SCB13H2G800AF-15H

Xi'an UniIC Semiconductors Co Ltd
DDR DRAM,
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 7247251975
包装说明 TFBGA,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 8.37
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B78
长度 10.5 mm
内存密度 2147483648 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM
内存宽度 8
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 78
字数 268435456 words
字数代码 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C
最低工作温度
组织 256MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 1.45 V
最小供电电压 (Vsup) 1.283 V
标称供电电压 (Vsup) 1.35 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 8 mm
参数规格与技术文档
Xi'an UniIC Semiconductors Co Ltd
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