参数名称 | 参数值 |
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生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1431142709 |
包装说明 | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.80 |
风险等级 | 9.3 |
YTEOL | 0 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
最小击穿电压 | 30 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 10% |
最小二极管电容比 | 2.5 |
标称二极管电容 | 8.2 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY |
JEDEC-95代码 | DO-7 |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大功率耗散 | 0.4 W |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 450 |
最大反向电流 | 0.02 µA |
反向测试电压 | 25 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
变容二极管分类 | ABRUPT |