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CM1213
1.2.4及8通道低电容ESD保护阵列。见美联社- 220。
1.2.4 and 8-Channel Low Capacitance ESD Protection Arrays. See AP-220.
IH5108
见MAX358
See MAX358
IH5208
见MAX359
See MAX359
IH6108
Intersil Corporation
见DG508A
8-Channel CMOS Analog Multiplexer
IH6116
见DG506A
See DG506A
IH6208
Harris Corporation
见DG509A
8-Channel CMOS Analog Multiplexer
IH6216
见DG507A
See DG507A
IRHF7310SE
International Rectifier
N通道单粒子效应(见)拉德硬的HEXFET晶体管(不适用沟道单事件效应拉德硬盘的HEXFET技术晶体管)
N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管)
IRHF7330SE
International Rectifier
N通道单粒子效应(见)拉德硬的HEXFET晶体管(不适用沟道单事件效应拉德硬盘的HEXFET技术晶体管)
N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管)
IRHF7430SE
International Rectifier
N通道单粒子效应(见)拉德硬的HEXFET晶体管(不适用沟道单事件效应拉德硬盘的HEXFET技术晶体管)
N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管)
IRHM7250SE
International Rectifier
N通道单粒子效应(见)拉德硬的HEXFET晶体管(不适用沟道单事件效应拉德硬盘的HEXFET技术晶体管)
N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管)
IRHM7C50SE
International Rectifier
N通道单粒子效应(见)拉德硬的HEXFET晶体管(不适用沟道单事件效应拉德硬盘的HEXFET技术晶体管)
N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管)
IRHN7250SE
International Rectifier
200Volt,0.10Ω(见)RAD数据通信硬的HEXFET(200V的电压,0.10Ω,单事件效应抗辐射的HEXFET晶体管)
200Volt, 0.10Ω, (SEE) RAD HARD HEXFET(200V, 0.10Ω, 单事件效应抗辐射 HEXFET晶体管)
IRHN7450SE
International Rectifier
N通道单粒子效应(见)拉德硬的HEXFET晶体管(不适用沟道单事件效应拉德硬盘的HEXFET技术晶体管)
N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管)
IRHN7C50SE
International Rectifier
N通道单粒子效应(见)拉德硬的HEXFET晶体管(不适用沟道单事件效应拉德硬盘的HEXFET技术晶体管)
N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管)
IRHNB7264SE
International Rectifier
250Volt,0.11Ω(见)RAD数据通信硬的HEXFET(250V,0.11Ω,单事件效应抗辐射的HEXFET晶体管)
250Volt, 0.11Ω, (SEE) RAD HARD HEXFET(250V, 0.11Ω,单事件效应抗辐射 HEXFET晶体管)
IRHNB7360SE
International Rectifier
400Volt,0.20Ω(见)RAD数据通信硬的HEXFET(为400V,0.20Ω,单事件效应抗辐射的HEXFET晶体管)
400Volt, 0.20Ω, (SEE) RAD HARD HEXFET(400V, 0.20Ω,单事件效应抗辐射 HEXFET晶体管)
IRHNB7460SE
International Rectifier
500Volt,0.32Ω(见)RAD数据通信硬的HEXFET(500V及0.32Ω,单事件效应抗辐射的HEXFET晶体管)
500Volt, 0.32Ω, (SEE) RAD HARD HEXFET(500V, 0.32Ω, 单事件效应抗辐射 HEXFET晶体管)
MA4DP918-1277
Tyco Electronics
HMICTM集成无源双工器的GSM / DCS或AMPS二元/件申请3毫米见方发展蓝图塑料包装
HMICTM Integrated Passive Diplexer GSM/DCS or AMPS/PCS Applications 3 mm square MLP Plastic Package
PE2020
Electronic Theatre Controls, Inc.
10垫无铅表面贴装时钟振荡器,见6Pad PE1145B
10 Pad Leadless Surface Mount Clock Oscillator,see PE1145B for 6Pad
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