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03455102
“马鞍夹1 / 2”“”
"SADDLE CLIP 1/2"""
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“马鞍剪辑3 / 4”“”
"SADDLE CLIP 3/4"""
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“马鞍夹1”“”
"SADDLE CLIP 1"""
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“马鞍夹1.1 / 4”“”
"SADDLE CLIP 1.1/4"""
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“马鞍夹1.1 / 2”“”
"SADDLE CLIP 1.1/2"""
03455107
“马鞍夹2”“”
"SADDLE CLIP 2"""
2N6764
Omnirel
100V的,38A条,N沟道,增强模式功率MOSFET(100V的,38A条,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
100V, 38A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(100V, 38A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
2N6770
Omnirel
的500V,12A条,N沟道,增强模式功率MOSFET(500V及12A条,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
500V, 12A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(500V, 12A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
2N6782LCC4
Semelab(Magnatec)
N沟道功率MOSFET(减振钢板基本:100V的,身份证(续):3.1A时,RDS(上):0.6Ω)(不适用马鞍山沟道功率型场效应管(减振钢板基本:100V的,身份证(续):3.1A时,RDS (上):0.6Ω))
N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):3.1A,Rds(on):0.6Ω)(N沟道功率型MOS场效应管(Vdss:100V,Id(cont):3.1A,Rds(on):0.6Ω))
2N6796
Omnirel
100V的,8.0A,N沟道,增强模式功率MOSFET(100V的,8.0A,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
100V, 8.0A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(100V, 8.0A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
2N6796LCC4
Semelab(Magnatec)
N沟道功率MOSFET(减振钢板基本:100V的,身份证(续):7.4A时,RDS(上):0.18Ω)(不适用马鞍山沟道功率型场效应管(减振钢板基本:100V的,身份证(续):3.4A时,RDS (上):0.18Ω))
N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):7.4A,Rds(on):0.18Ω)(N沟道功率型MOS场效应管(Vdss:100V,Id(cont):3.4A,Rds(on):0.18Ω))
2N6798
Omnirel
为200V,5.5A,N沟道,增强模式功率MOSFET(为200V,5.5A,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
200V, 5.5A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(200V, 5.5A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
2N6800
Omnirel
为400V,3.0A的,N沟道,增强模式功率MOSFET(为400V,3.0A的,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
400V, 3.0A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(400V, 3.0A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
2N6802
Omnirel
500V及包2.5a,N沟道,增强模式功率MOSFET(500V及包2.5a,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
500V, 2.5A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(500V, 2.5A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
2N7218
Omnirel
100V的,第28A条,N沟道,增强模式功率MOSFET(100V的,第28A条,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
100V, 28A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(100V, 28A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
2N7219
Omnirel
为200V,18A条,N沟道,增强模式功率MOSFET(为200V,18A条,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
200V, 18A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(200V, 18A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
2N7221
Omnirel
为400V,10A条,N沟道,增强模式功率MOSFET(为400V,10A条,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
400V, 10A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(400V, 10A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
2N7222
Omnirel
500V及8A条,N沟道,增强模式功率MOSFET(500V及8A条,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
500V, 8A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(500V, 8A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
2N7224
Semelab(Magnatec)
N沟道功率MOSFET(减振钢板基本:100V的,身份证(续):34A条的Rds(on):0.070Ω)(不适用马鞍山沟道功率场效应管(减振钢板基本:100V的,身份证(续):34A条的Rds(on) :0.070Ω))
N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):34A,Rds(on):0.070Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:100V,Id(cont):34A,Rds(on):0.070Ω))
2N7224
Omnirel
100V的,第34A,N沟道,增强模式功率MOSFET(100V的,34A条,?沟道,增强模式功率马鞍山场效应管)
100V, 34A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(100V, 34A,N沟道,增强模式功率MOS场效应管)
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