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H5DU5162ETR-E3C

厂商名称: SK Hynix

H5DU5162ETR-E3C元件分类: 存储器

H5DU5162ETR-E3C中文描述:
32M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.7 ns, PBGA60
H5DU5162ETR-E3C英文描述:
32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
H5DU5162ETR-E3C封装
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引脚图

H5DU5162ETR-E3C引脚图

应用电路图

H5DU5162ETR-E3C应用电路图
H5DU5162ETR-E3C功能数量 1
H5DU5162ETR-E3C端子数量 60
H5DU5162ETR-E3C最大工作温度 70 Cel
H5DU5162ETR-E3C最小工作温度 0.0 Cel
H5DU5162ETR-E3C最大供电/工作电压 2.7 V
H5DU5162ETR-E3C最小供电/工作电压 2.3 V
H5DU5162ETR-E3C额定供电电压 2.5 V
H5DU5162ETR-E3C最小存取时间 0.7000 ns
H5DU5162ETR-E3C加工封装描述 ROHS COMPLIANT, FBGA-60
H5DU5162ETR-E3C状态 DISCONTINUED
H5DU5162ETR-E3C工艺 CMOS
H5DU5162ETR-E3C包装形状 矩形的
H5DU5162ETR-E3C包装尺寸 GRID 阵列, VERY THIN PROFILE
H5DU5162ETR-E3C表面贴装 Yes
H5DU5162ETR-E3C端子形式 BALL
H5DU5162ETR-E3C端子间距 1 mm
H5DU5162ETR-E3C端子位置 BOTTOM
H5DU5162ETR-E3C包装材料 塑料/环氧树脂
H5DU5162ETR-E3C温度等级 COMMERCIAL
H5DU5162ETR-E3C内存宽度 16
H5DU5162ETR-E3C组织 32M × 16
H5DU5162ETR-E3C存储密度 5.37E8 deg
H5DU5162ETR-E3C操作模式 同步
H5DU5162ETR-E3C位数 3.36E7 words
H5DU5162ETR-E3C位数 32M
H5DU5162ETR-E3C存取方式 四 BANK PAGE BURST
H5DU5162ETR-E3C内存IC类型 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器
H5DU5162ETR-E3C端口数 1

目前在售H5DU5162ETR-E3C的授权分销商:

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