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MT16JSF51264HZ-1G4D1

厂商名称: Micron Technology, Inc.

MT16JSF51264HZ-1G4D1元件分类: 存储器

MT16JSF51264HZ-1G4D1中文描述:
512M × 64 动态随机存取内存模块, 直接存储器存取204
MT16JSF51264HZ-1G4D1英文描述:
512M X 64 DDR DRAM MODULE, DMA204
MT16JSF51264HZ-1G4D1封装
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MT16JSF51264HZ-1G4D1功能数量 1
MT16JSF51264HZ-1G4D1端子数量 204
MT16JSF51264HZ-1G4D1最大工作温度 70 Cel
MT16JSF51264HZ-1G4D1最小工作温度 0.0 Cel
MT16JSF51264HZ-1G4D1最大供电/工作电压 1.58 V
MT16JSF51264HZ-1G4D1最小供电/工作电压 1.42 V
MT16JSF51264HZ-1G4D1额定供电电压 1.5 V
MT16JSF51264HZ-1G4D1加工封装描述 HALOGEN FREE, MO-268, SODIMM-204
MT16JSF51264HZ-1G4D1状态 DISCONTINUED
MT16JSF51264HZ-1G4D1工艺 CMOS
MT16JSF51264HZ-1G4D1包装形状 RECTANGULAR
MT16JSF51264HZ-1G4D1包装尺寸 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
MT16JSF51264HZ-1G4D1端子形式 NO LEAD
MT16JSF51264HZ-1G4D1端子位置 DUAL
MT16JSF51264HZ-1G4D1包装材料 UNSPECIFIED
MT16JSF51264HZ-1G4D1温度等级 COMMERCIAL
MT16JSF51264HZ-1G4D1内存宽度 64
MT16JSF51264HZ-1G4D1组织 512M X 64
MT16JSF51264HZ-1G4D1存储密度 3.44E10 deg
MT16JSF51264HZ-1G4D1操作模式 SYNCHRONOUS
MT16JSF51264HZ-1G4D1位数 5.37E8 words
MT16JSF51264HZ-1G4D1位数 512M
MT16JSF51264HZ-1G4D1存取方式 DUAL BANK PAGE BURST
MT16JSF51264HZ-1G4D1内存IC类型 DDR DRAM MODULE
MT16JSF51264HZ-1G4D1端口数 1

目前在售MT16JSF51264HZ-1G4D1的授权分销商:

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