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PESD3V3S2UT

厂商名称: NXP

PESD3V3S2UT元件分类: 二极管

PESD3V3S2UT中文描述:
330 W, 单向, 2 组成, 硅, 瞬态抑制二极管, TO-236AB
PESD3V3S2UT英文描述:
330 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB
PESD3V3S2UT封装
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厚膜表面安装电阻器,0603 封装,2.2kΩ ±1% 0.1W ±100ppm/°C
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PESD3V3S2UT端子数量 3
PESD3V3S2UT元件数量 2
PESD3V3S2UT最大击穿电压 6 V
PESD3V3S2UT最小击穿电压 5.2 V
PESD3V3S2UT加工封装描述 塑料 PACKAGE-3
PESD3V3S2UT无铅 Yes
PESD3V3S2UT欧盟RoHS规范 Yes
PESD3V3S2UT中国RoHS规范 Yes
PESD3V3S2UT状态 ACTIVE
PESD3V3S2UT包装形状 矩形的
PESD3V3S2UT包装尺寸 SMALL OUTLINE
PESD3V3S2UT表面贴装 Yes
PESD3V3S2UT端子形式 GULL WING
PESD3V3S2UT端子涂层
PESD3V3S2UT端子位置
PESD3V3S2UT包装材料 塑料/环氧树脂
PESD3V3S2UT工艺 AVALANCHE
PESD3V3S2UT结构 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
PESD3V3S2UT二极管元件材料
PESD3V3S2UT极性 单向
PESD3V3S2UT二极管类型 TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
PESD3V3S2UT关闭电压 3.3 V
PESD3V3S2UT最大非重复峰值转速功率 330 W

目前在售PESD3V3S2UT的授权分销商:

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