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PESD5V0S1BL

厂商名称: NXP

PESD5V0S1BL元件分类: 二极管

PESD5V0S1BL中文描述:
130 W, 双向, 硅, 瞬态抑制二极管
PESD5V0S1BL英文描述:
130 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
PESD5V0S1BL封装
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47μF 63 V 直流 铝电解电容器, ±20%容差 210mΩ
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PESD5V0S1BL端子数量 2
PESD5V0S1BL元件数量 1
PESD5V0S1BL最大击穿电压 9.5 V
PESD5V0S1BL最小击穿电压 5.5 V
PESD5V0S1BL加工封装描述 1 × 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, 塑料 PACKAGE-2
PESD5V0S1BL无铅 Yes
PESD5V0S1BL欧盟RoHS规范 Yes
PESD5V0S1BL中国RoHS规范 Yes
PESD5V0S1BL状态 ACTIVE
PESD5V0S1BL包装形状 矩形的
PESD5V0S1BL包装尺寸 芯片 CARRIER
PESD5V0S1BL表面贴装 Yes
PESD5V0S1BL端子形式 NO 铅
PESD5V0S1BL端子涂层
PESD5V0S1BL端子位置 BOTTOM
PESD5V0S1BL包装材料 塑料/环氧树脂
PESD5V0S1BL工艺 AVALANCHE
PESD5V0S1BL结构 单一的
PESD5V0S1BL二极管元件材料
PESD5V0S1BL极性 双向
PESD5V0S1BL二极管类型 TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
PESD5V0S1BL关闭电压 5 V
PESD5V0S1BL最大非重复峰值转速功率 130 W

目前在售PESD5V0S1BL的授权分销商:

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