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S34ML02G100BHI000

厂商名称: Spansion, Inc.

S34ML02G100BHI000元件分类: 存储器

S34ML02G100BHI000中文描述:
256M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, PBGA63
S34ML02G100BHI000英文描述:
256M X 8 FLASH 3V PROM, PBGA63
S34ML02G100BHI000封装
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引脚图

S34ML02G100BHI000引脚图

应用电路图

S34ML02G100BHI000应用电路图
S34ML02G100BHI000功能数量 1
S34ML02G100BHI000端子数量 63
S34ML02G100BHI000最大工作温度 85 Cel
S34ML02G100BHI000最小工作温度 -40 Cel
S34ML02G100BHI000最大供电/工作电压 3.6 V
S34ML02G100BHI000最小供电/工作电压 2.7 V
S34ML02G100BHI000额定供电电压 3.3 V
S34ML02G100BHI000加工封装描述 9 × 11 MM, 1 MM HEIGHT, 铅 FREE, MO-207M, BGA-63
S34ML02G100BHI000状态 ACTIVE
S34ML02G100BHI000工艺 CMOS
S34ML02G100BHI000包装形状 矩形的
S34ML02G100BHI000包装尺寸 GRID 阵列, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
S34ML02G100BHI000表面贴装 Yes
S34ML02G100BHI000端子形式 BALL
S34ML02G100BHI000端子间距 0.8000 mm
S34ML02G100BHI000端子位置 BOTTOM
S34ML02G100BHI000包装材料 塑料/环氧树脂
S34ML02G100BHI000温度等级 INDUSTRIAL
S34ML02G100BHI000内存宽度 8
S34ML02G100BHI000组织 256M × 8
S34ML02G100BHI000存储密度 2.15E9 deg
S34ML02G100BHI000操作模式 ASYNCHRONOUS
S34ML02G100BHI000位数 2.68E8 words
S34ML02G100BHI000位数 256M
S34ML02G100BHI000内存IC类型 FLASH 3V 可编程只读存储器
S34ML02G100BHI000串行并行 并行

目前在售S34ML02G100BHI000的授权分销商:

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