浏览历史

TE28F128J3D75E

厂商名称: Micron Technology, Inc.

TE28F128J3D75E元件分类: 存储器

TE28F128J3D75E中文描述:
8M × 16 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, 75 ns, PDSO56
TE28F128J3D75E英文描述:
8M X 16 FLASH 2.7V PROM, 75 ns, PDSO56
  • 参数列表
  • 在这购买
TE28F128J3D75E功能数量 1
TE28F128J3D75E端子数量 56
TE28F128J3D75E最大工作温度 85 Cel
TE28F128J3D75E最小工作温度 -40 Cel
TE28F128J3D75E最大供电/工作电压 3.6 V
TE28F128J3D75E最小供电/工作电压 2.7 V
TE28F128J3D75E额定供电电压 3 V
TE28F128J3D75E最大存取时间 75 ns
TE28F128J3D75E加工封装描述 14 × 20 MM, TSOP-56
TE28F128J3D75E状态 DISCONTINUED
TE28F128J3D75E包装形状 矩形的
TE28F128J3D75E包装尺寸 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
TE28F128J3D75E表面贴装 Yes
TE28F128J3D75E端子形式 GULL WING
TE28F128J3D75E端子间距 0.5000 mm
TE28F128J3D75E端子涂层 NOT SPECIFIED
TE28F128J3D75E端子位置
TE28F128J3D75E包装材料 塑料/环氧树脂
TE28F128J3D75E温度等级 INDUSTRIAL
TE28F128J3D75E内存宽度 16
TE28F128J3D75E组织 8M × 16
TE28F128J3D75E存储密度 1.34E8 deg
TE28F128J3D75E操作模式 ASYNCHRONOUS
TE28F128J3D75E位数 8.39E6 words
TE28F128J3D75E位数 8M
TE28F128J3D75E备用存储器宽度 8
TE28F128J3D75E内存IC类型 FLASH 2.7V 可编程只读存储器
TE28F128J3D75E串行并行 并行

目前在售TE28F128J3D75E的授权分销商:

© 2010 - 2018 苏州灵动帧格网络科技有限公司 版权所有.

ICP经营许可证 苏B2-20140176  苏ICP备14012660号-5

苏公网安备 32059002001873号