浏览历史

W3DG6418V10D2MG

厂商名称: Microsemi Corp.

W3DG6418V10D2MG元件分类: 存储器

W3DG6418V10D2MG中文描述:
16M × 64 同步动态随机存取存储器模块, 直接存储器存取168
W3DG6418V10D2MG英文描述:
16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168
也许您对这个元器件感兴趣: S912ZVML64F2WKH
S12ZVM混合信号MCU,适用于汽车和工业电机控制应用
了解详情
  • 参数列表
  • 在这购买
W3DG6418V10D2MG功能数量 1
W3DG6418V10D2MG端子数量 168
W3DG6418V10D2MG最大工作温度 70 Cel
W3DG6418V10D2MG最小工作温度 0.0 Cel
W3DG6418V10D2MG最大供电/工作电压 3.6 V
W3DG6418V10D2MG最小供电/工作电压 3 V
W3DG6418V10D2MG额定供电电压 3.3 V
W3DG6418V10D2MG加工封装描述 ROHS COMPLIANT, DIMM-168
W3DG6418V10D2MG无铅 Yes
W3DG6418V10D2MG欧盟RoHS规范 Yes
W3DG6418V10D2MG状态 ACTIVE
W3DG6418V10D2MG包装形状 矩形的
W3DG6418V10D2MG包装尺寸 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
W3DG6418V10D2MG端子形式 NO 铅
W3DG6418V10D2MG端子涂层
W3DG6418V10D2MG端子位置
W3DG6418V10D2MG包装材料 UNSPECIFIED
W3DG6418V10D2MG温度等级 COMMERCIAL
W3DG6418V10D2MG内存宽度 64
W3DG6418V10D2MG组织 16M × 64
W3DG6418V10D2MG存储密度 1.07E9 deg
W3DG6418V10D2MG操作模式 同步
W3DG6418V10D2MG位数 1.68E7 words
W3DG6418V10D2MG位数 16M
W3DG6418V10D2MG存取方式 四 BANK PAGE BURST
W3DG6418V10D2MG内存IC类型 同步动态随机存取存储器模块
W3DG6418V10D2MG端口数 1

目前在售W3DG6418V10D2MG的国内分销商:

分销商 办事处 传真 电话 E-mail
增你强股份有限公司 宏衢上海贸易有限公司 86-21-60908711 86-21-60908700 --

目前在售W3DG6418V10D2MG的国外分销商:

版权所有 © 2010 - 2016 与非门科技(北京)有限公司

京ICP证:070212号 北京市公安局备案编号:1101033715 京ICP备:10038094号-10