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W3DG6463V10D2-MG

厂商名称: Microsemi Corp.

W3DG6463V10D2-MG元件分类: 存储器

W3DG6463V10D2-MG中文描述:
64M × 64 同步动态随机存取存储器模块, 6 ns, 直接存储器存取168
W3DG6463V10D2-MG英文描述:
64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168
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W3DG6463V10D2-MG功能数量 1
W3DG6463V10D2-MG端子数量 168
W3DG6463V10D2-MG最大工作温度 70 Cel
W3DG6463V10D2-MG最小工作温度 0.0 Cel
W3DG6463V10D2-MG最大供电/工作电压 3.6 V
W3DG6463V10D2-MG最小供电/工作电压 3 V
W3DG6463V10D2-MG额定供电电压 3.3 V
W3DG6463V10D2-MG最小存取时间 6 ns
W3DG6463V10D2-MG加工封装描述 DIMM-168
W3DG6463V10D2-MG无铅 Yes
W3DG6463V10D2-MG欧盟RoHS规范 Yes
W3DG6463V10D2-MG状态 ACTIVE
W3DG6463V10D2-MG包装形状 矩形的
W3DG6463V10D2-MG包装尺寸 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
W3DG6463V10D2-MG端子形式 NO 铅
W3DG6463V10D2-MG端子涂层
W3DG6463V10D2-MG端子位置
W3DG6463V10D2-MG包装材料 UNSPECIFIED
W3DG6463V10D2-MG温度等级 COMMERCIAL
W3DG6463V10D2-MG内存宽度 64
W3DG6463V10D2-MG组织 64M × 64
W3DG6463V10D2-MG存储密度 4.29E9 deg
W3DG6463V10D2-MG操作模式 同步
W3DG6463V10D2-MG位数 6.71E7 words
W3DG6463V10D2-MG位数 64M
W3DG6463V10D2-MG存取方式 双 BANK PAGE BURST
W3DG6463V10D2-MG内存IC类型 同步动态随机存取存储器模块
W3DG6463V10D2-MG端口数 1

目前在售W3DG6463V10D2-MG的国内分销商:

分销商 办事处 传真 电话 E-mail
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