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W3E32M72S-266SBI

厂商名称: Microsemi Corp.

W3E32M72S-266SBI元件分类: 存储器

W3E32M72S-266SBI中文描述:
32M × 72 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.75 ns, PBGA208
W3E32M72S-266SBI英文描述:
32M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA208
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W3E32M72S-266SBI功能数量 1
W3E32M72S-266SBI端子数量 208
W3E32M72S-266SBI最大工作温度 85 Cel
W3E32M72S-266SBI最小工作温度 -40 Cel
W3E32M72S-266SBI最大供电/工作电压 2.7 V
W3E32M72S-266SBI最小供电/工作电压 2.3 V
W3E32M72S-266SBI额定供电电压 2.5 V
W3E32M72S-266SBI最小存取时间 0.7500 ns
W3E32M72S-266SBI加工封装描述 16 × 22 MM, 塑料, BGA-208
W3E32M72S-266SBI状态 TRANSFERRED
W3E32M72S-266SBI工艺 CMOS
W3E32M72S-266SBI包装形状 矩形的
W3E32M72S-266SBI包装尺寸 GRID 阵列
W3E32M72S-266SBI表面贴装 Yes
W3E32M72S-266SBI端子形式 BALL
W3E32M72S-266SBI端子间距 1 mm
W3E32M72S-266SBI端子涂层 锡 铅
W3E32M72S-266SBI端子位置 BOTTOM
W3E32M72S-266SBI包装材料 塑料/环氧树脂
W3E32M72S-266SBI温度等级 INDUSTRIAL
W3E32M72S-266SBI内存宽度 72
W3E32M72S-266SBI组织 32M × 72
W3E32M72S-266SBI存储密度 2.42E9 deg
W3E32M72S-266SBI操作模式 同步
W3E32M72S-266SBI位数 3.36E7 words
W3E32M72S-266SBI位数 32M
W3E32M72S-266SBI存取方式 四 BANK PAGE BURST
W3E32M72S-266SBI内存IC类型 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器
W3E32M72S-266SBI端口数 1

目前在售W3E32M72S-266SBI的国内分销商:

分销商 办事处 传真 电话 E-mail
增你强股份有限公司 宏衢上海贸易有限公司 86-21-60908711 86-21-60908700 --

目前在售W3E32M72S-266SBI的国外分销商:

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