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W3H128M64E-667SBI

厂商名称: Microsemi Corp.

W3H128M64E-667SBI元件分类: 存储器

W3H128M64E-667SBI中文描述:
128M × 64 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.45 ns, PBGA208
W3H128M64E-667SBI英文描述:
128M X 64 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA208
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W3H128M64E-667SBI功能数量 1
W3H128M64E-667SBI端子数量 208
W3H128M64E-667SBI最大工作温度 85 Cel
W3H128M64E-667SBI最小工作温度 -40 Cel
W3H128M64E-667SBI最大供电/工作电压 1.9 V
W3H128M64E-667SBI最小供电/工作电压 1.7 V
W3H128M64E-667SBI额定供电电压 1.8 V
W3H128M64E-667SBI最小存取时间 0.4500 ns
W3H128M64E-667SBI加工封装描述 16 × 22 MM, 1 MM PITCH, 塑料, BGA-208
W3H128M64E-667SBI状态 TRANSFERRED
W3H128M64E-667SBI工艺 CMOS
W3H128M64E-667SBI包装形状 矩形的
W3H128M64E-667SBI包装尺寸 GRID 阵列
W3H128M64E-667SBI表面贴装 Yes
W3H128M64E-667SBI端子形式 BALL
W3H128M64E-667SBI端子间距 1 mm
W3H128M64E-667SBI端子位置 BOTTOM
W3H128M64E-667SBI包装材料 塑料/环氧树脂
W3H128M64E-667SBI温度等级 INDUSTRIAL
W3H128M64E-667SBI内存宽度 64
W3H128M64E-667SBI组织 128M × 64
W3H128M64E-667SBI存储密度 8.59E9 deg
W3H128M64E-667SBI操作模式 同步
W3H128M64E-667SBI位数 1.34E8 words
W3H128M64E-667SBI位数 128M
W3H128M64E-667SBI存取方式 多 BANK PAGE BURST
W3H128M64E-667SBI内存IC类型 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器
W3H128M64E-667SBI端口数 1

目前在售W3H128M64E-667SBI的国内分销商:

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