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WED3DG644V10WD1-M

厂商名称: Microsemi Corp.

WED3DG644V10WD1-M元件分类: 存储器

WED3DG644V10WD1-M中文描述:
4M × 64 同步动态随机存取存储器模块, ZMA144
WED3DG644V10WD1-M英文描述:
4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, ZMA144
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WED3DG644V10WD1-M功能数量 1
WED3DG644V10WD1-M端子数量 144
WED3DG644V10WD1-M最大工作温度 70 Cel
WED3DG644V10WD1-M最小工作温度 0.0 Cel
WED3DG644V10WD1-M最大供电/工作电压 3.6 V
WED3DG644V10WD1-M最小供电/工作电压 3 V
WED3DG644V10WD1-M额定供电电压 3.3 V
WED3DG644V10WD1-M加工封装描述 SODIMM-144
WED3DG644V10WD1-M状态 TRANSFERRED
WED3DG644V10WD1-M包装形状 矩形的
WED3DG644V10WD1-M包装尺寸 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
WED3DG644V10WD1-M端子形式 NO 铅
WED3DG644V10WD1-M端子涂层 NOT SPECIFIED
WED3DG644V10WD1-M端子位置 ZIG-ZAG
WED3DG644V10WD1-M包装材料 UNSPECIFIED
WED3DG644V10WD1-M温度等级 COMMERCIAL
WED3DG644V10WD1-M内存宽度 64
WED3DG644V10WD1-M组织 4M × 64
WED3DG644V10WD1-M存储密度 2.68E8 deg
WED3DG644V10WD1-M操作模式 同步
WED3DG644V10WD1-M位数 4.19E6 words
WED3DG644V10WD1-M位数 4M
WED3DG644V10WD1-M存取方式 四 BANK PAGE BURST
WED3DG644V10WD1-M内存IC类型 同步动态随机存取存储器模块
WED3DG644V10WD1-M端口数 1

目前在售WED3DG644V10WD1-M的国内分销商:

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