| WEDPN4M72V-100B2I功能数量 |
1
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| WEDPN4M72V-100B2I端子数量 |
219
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| WEDPN4M72V-100B2I最大工作温度 |
85 Cel
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| WEDPN4M72V-100B2I最小工作温度 |
-40 Cel
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| WEDPN4M72V-100B2I最大供电/工作电压 |
3.6 V
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| WEDPN4M72V-100B2I最小供电/工作电压 |
3 V
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| WEDPN4M72V-100B2I额定供电电压 |
3.3 V
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| WEDPN4M72V-100B2I最小存取时间 |
7 ns
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| WEDPN4M72V-100B2I加工封装描述 |
21 × 21 MM, 塑料, BGA-219
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| WEDPN4M72V-100B2I状态 |
ACTIVE
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| WEDPN4M72V-100B2I工艺 |
CMOS
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| WEDPN4M72V-100B2I包装形状 |
SQUARE
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| WEDPN4M72V-100B2I包装尺寸 |
GRID 阵列
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| WEDPN4M72V-100B2I表面贴装 |
Yes
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| WEDPN4M72V-100B2I端子形式 |
BALL
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| WEDPN4M72V-100B2I端子涂层 |
NOT SPECIFIED
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| WEDPN4M72V-100B2I端子位置 |
BOTTOM
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| WEDPN4M72V-100B2I包装材料 |
塑料/环氧树脂
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| WEDPN4M72V-100B2I温度等级 |
INDUSTRIAL
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| WEDPN4M72V-100B2I内存宽度 |
72
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| WEDPN4M72V-100B2I组织 |
4M × 72
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| WEDPN4M72V-100B2I存储密度 |
3.02E8 deg
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| WEDPN4M72V-100B2I操作模式 |
同步
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| WEDPN4M72V-100B2I位数 |
4.19E6 words
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| WEDPN4M72V-100B2I位数 |
4M
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| WEDPN4M72V-100B2I存取方式 |
四 BANK PAGE BURST
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| WEDPN4M72V-100B2I内存IC类型 |
同步动态随机存取存储器
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| WEDPN4M72V-100B2I端口数 |
1
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