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WEDPN4M72V-100B2I

厂商名称: Microsemi Corp.

WEDPN4M72V-100B2I元件分类: 存储器

WEDPN4M72V-100B2I中文描述:
4M × 72 同步动态随机存取存储器, 7 ns, PBGA219
WEDPN4M72V-100B2I英文描述:
4M X 72 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA219
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WEDPN4M72V-100B2I功能数量 1
WEDPN4M72V-100B2I端子数量 219
WEDPN4M72V-100B2I最大工作温度 85 Cel
WEDPN4M72V-100B2I最小工作温度 -40 Cel
WEDPN4M72V-100B2I最大供电/工作电压 3.6 V
WEDPN4M72V-100B2I最小供电/工作电压 3 V
WEDPN4M72V-100B2I额定供电电压 3.3 V
WEDPN4M72V-100B2I最小存取时间 7 ns
WEDPN4M72V-100B2I加工封装描述 21 × 21 MM, 塑料, BGA-219
WEDPN4M72V-100B2I状态 ACTIVE
WEDPN4M72V-100B2I工艺 CMOS
WEDPN4M72V-100B2I包装形状 SQUARE
WEDPN4M72V-100B2I包装尺寸 GRID 阵列
WEDPN4M72V-100B2I表面贴装 Yes
WEDPN4M72V-100B2I端子形式 BALL
WEDPN4M72V-100B2I端子涂层 NOT SPECIFIED
WEDPN4M72V-100B2I端子位置 BOTTOM
WEDPN4M72V-100B2I包装材料 塑料/环氧树脂
WEDPN4M72V-100B2I温度等级 INDUSTRIAL
WEDPN4M72V-100B2I内存宽度 72
WEDPN4M72V-100B2I组织 4M × 72
WEDPN4M72V-100B2I存储密度 3.02E8 deg
WEDPN4M72V-100B2I操作模式 同步
WEDPN4M72V-100B2I位数 4.19E6 words
WEDPN4M72V-100B2I位数 4M
WEDPN4M72V-100B2I存取方式 四 BANK PAGE BURST
WEDPN4M72V-100B2I内存IC类型 同步动态随机存取存储器
WEDPN4M72V-100B2I端口数 1

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