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WF512K32N-120H1M5

厂商名称: Microsemi Corp.

WF512K32N-120H1M5元件分类: 存储器

WF512K32N-120H1M5中文描述:
512K × 32 FLASH 5V 可编程只读存储器 模块, 120 ns, CPGA66
WF512K32N-120H1M5英文描述:
512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CPGA66
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S12VR混合信号MCU,适用于基于继电器的汽车和工业电机控制应用
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WF512K32N-120H1M5功能数量 1
WF512K32N-120H1M5端子数量 66
WF512K32N-120H1M5最大工作温度 125 Cel
WF512K32N-120H1M5最小工作温度 -55 Cel
WF512K32N-120H1M5最大供电/工作电压 5.5 V
WF512K32N-120H1M5最小供电/工作电压 4.5 V
WF512K32N-120H1M5额定供电电压 5 V
WF512K32N-120H1M5最大存取时间 120 ns
WF512K32N-120H1M5加工封装描述 1.075 × 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, 陶瓷, HIP-66
WF512K32N-120H1M5状态 TRANSFERRED
WF512K32N-120H1M5工艺 CMOS
WF512K32N-120H1M5包装形状 SQUARE
WF512K32N-120H1M5包装尺寸 GRID 阵列
WF512K32N-120H1M5端子形式 PIN/PEG
WF512K32N-120H1M5端子间距 2.54 mm
WF512K32N-120H1M5端子涂层
WF512K32N-120H1M5端子位置 PERPENDICULAR
WF512K32N-120H1M5包装材料 陶瓷, 金属-SEALED COFIRED
WF512K32N-120H1M5温度等级 MILITARY
WF512K32N-120H1M5内存宽度 32
WF512K32N-120H1M5组织 512K × 32
WF512K32N-120H1M5存储密度 1.68E7 deg
WF512K32N-120H1M5操作模式 ASYNCHRONOUS
WF512K32N-120H1M5位数 524288 words
WF512K32N-120H1M5位数 512K
WF512K32N-120H1M5备用存储器宽度 16
WF512K32N-120H1M5内存IC类型 FLASH 5V 可编程只读存储器 模块
WF512K32N-120H1M5串行并行 并行

目前在售WF512K32N-120H1M5的国内分销商:

分销商 办事处 传真 电话 E-mail
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目前在售WF512K32N-120H1M5的国外分销商:

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