浏览历史

ZXM66P03N8TA

厂商名称: DIODES Incorporated

ZXM66P03N8TA元件分类: 晶体管

ZXM66P03N8TA中文描述:
6250 mA, 30 V, P沟道, 硅, 小信号, 场效应管
ZXM66P03N8TA英文描述:
6250 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
ZXM66P03N8TA封装
也许您对这个元器件感兴趣: SSM6J402TU
小信号MOSFET
了解详情
  • 参数列表
  • 在这购买
  • 在线预览
ZXM66P03N8TA端子数量 8
ZXM66P03N8TA最小击穿电压 30 V
ZXM66P03N8TA加工封装描述 SOIC-8
ZXM66P03N8TA无铅 Yes
ZXM66P03N8TA欧盟RoHS规范 Yes
ZXM66P03N8TA中国RoHS规范 Yes
ZXM66P03N8TA状态 ACTIVE
ZXM66P03N8TA包装形状 矩形的
ZXM66P03N8TA包装尺寸 SMALL OUTLINE
ZXM66P03N8TA表面贴装 Yes
ZXM66P03N8TA端子形式 GULL WING
ZXM66P03N8TA端子涂层 MATTE 锡
ZXM66P03N8TA端子位置
ZXM66P03N8TA包装材料 塑料/环氧树脂
ZXM66P03N8TA结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
ZXM66P03N8TA元件数量 1
ZXM66P03N8TA晶体管应用 开关
ZXM66P03N8TA晶体管元件材料
ZXM66P03N8TA通道类型 P沟道
ZXM66P03N8TA场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
ZXM66P03N8TA操作模式 ENHANCEMENT
ZXM66P03N8TA晶体管类型 通用小信号
ZXM66P03N8TA最大漏电流 6.25 A
ZXM66P03N8TA最大漏极导通电阻 0.0250 ohm

目前在售ZXM66P03N8TA的国外分销商:

版权所有 © 2010 - 2016 与非门科技(北京)有限公司

京ICP证:070212号 北京市公安局备案编号:1101033715 京ICP备:10038094号-10