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ZXMN10A11GTA

厂商名称: DIODES Incorporated

ZXMN10A11GTA元件分类: 晶体管

ZXMN10A11GTA中文描述:
1900 mA, 100 V, N沟道, 硅, 小信号, 场效应管
ZXMN10A11GTA英文描述:
1900 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
ZXMN10A11GTA封装
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功率MOSFET(N沟道500V<VDSS≤700V)
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ZXMN10A11GTA端子数量 4
ZXMN10A11GTA最小击穿电压 100 V
ZXMN10A11GTA无铅 Yes
ZXMN10A11GTA欧盟RoHS规范 Yes
ZXMN10A11GTA状态 TRANSFERRED
ZXMN10A11GTA包装形状 矩形的
ZXMN10A11GTA包装尺寸 SMALL OUTLINE
ZXMN10A11GTA表面贴装 Yes
ZXMN10A11GTA端子形式 GULL WING
ZXMN10A11GTA端子涂层 MATTE 锡
ZXMN10A11GTA端子位置
ZXMN10A11GTA包装材料 塑料/环氧树脂
ZXMN10A11GTA结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
ZXMN10A11GTA壳体连接 DRAIN
ZXMN10A11GTA元件数量 1
ZXMN10A11GTA晶体管应用 开关
ZXMN10A11GTA晶体管元件材料
ZXMN10A11GTA通道类型 N沟道
ZXMN10A11GTA场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
ZXMN10A11GTA操作模式 ENHANCEMENT
ZXMN10A11GTA晶体管类型 通用小信号
ZXMN10A11GTA最大漏电流 1.9 A
ZXMN10A11GTA最大漏极导通电阻 0.6000 ohm

目前在售ZXMN10A11GTA的国外分销商:

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