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ZXMN2A03E6TA

厂商名称: DIODES Incorporated

ZXMN2A03E6TA元件分类: 晶体管

ZXMN2A03E6TA中文描述:
3700 mA, 20 V, N沟道, 硅, 小信号, 场效应管
ZXMN2A03E6TA英文描述:
3700 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
ZXMN2A03E6TA封装
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功率MOSFET(单N沟道30V<VDSS≤60V)
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ZXMN2A03E6TA端子数量 6
ZXMN2A03E6TA最小击穿电压 20 V
ZXMN2A03E6TA加工封装描述 SOT-23, 6 PIN
ZXMN2A03E6TA无铅 Yes
ZXMN2A03E6TA欧盟RoHS规范 Yes
ZXMN2A03E6TA中国RoHS规范 Yes
ZXMN2A03E6TA状态 ACTIVE
ZXMN2A03E6TA包装形状 矩形的
ZXMN2A03E6TA包装尺寸 SMALL OUTLINE
ZXMN2A03E6TA表面贴装 Yes
ZXMN2A03E6TA端子形式 GULL WING
ZXMN2A03E6TA端子涂层 MATTE 锡
ZXMN2A03E6TA端子位置
ZXMN2A03E6TA包装材料 塑料/环氧树脂
ZXMN2A03E6TA结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
ZXMN2A03E6TA元件数量 1
ZXMN2A03E6TA晶体管应用 开关
ZXMN2A03E6TA晶体管元件材料
ZXMN2A03E6TA通道类型 N沟道
ZXMN2A03E6TA场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
ZXMN2A03E6TA操作模式 ENHANCEMENT
ZXMN2A03E6TA晶体管类型 通用小信号
ZXMN2A03E6TA最大漏电流 3.7 A
ZXMN2A03E6TA最大漏极导通电阻 0.0550 ohm

目前在售ZXMN2A03E6TA的国外分销商:

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