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240-200-200-35-A3

” 的搜索结果(共 48 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 240-200-200-35-A3 LCF Enterprises
Narrow Band High Power Amplifier,
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对比 MMBT3904 WPMSEMI 维攀电子
-, SOT-23, NPN, 200, 40, 100, 300, 300, 35, 35, 200, 50
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AD BGU7033,115 NXP Semiconductor
射频/微波组件,BGU7033 - Wide Band Low Power Amplifier, 40MHz Min, 1000MHz Max
对比 MMBT3904W WPMSEMI 维攀电子
-, SOT-323, NPN, 200, 40, 100, 300, 300, 35, 35, 200, 50
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对比 MMBT3904T WPMSEMI 维攀电子
-, SOT-523, NPN, 200, 40, 100, 300, 300, 35, 35, 200, 50
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对比 MMBT3906W WPMSEMI 维攀电子
-, SOT-323, PNP, 200, 40, 100, 300, 250, 35, 35, 225, 75
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对比 MMBT3906T WPMSEMI 维攀电子
-, SOT-523, PNP, 200, 40, 100, 300, 250, 35, 35, 225, 75
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对比 MMBT3906 WPMSEMI 维攀电子
-, SOT-23, PNP, 200, 40, 100, 300, 250, 35, 35, 225, 75
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对比 WPT25CD1MF WPMSEMI 维攀电子
-, Uni, 6000, 25, 26.5, 30, 1, 5, 35, 200
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对比 CLAMP2411P WPMSEMI 维攀电子
-, 24, 0.2, 26.7, 35, 50, 3, 18, 200, DFN1006-2L
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对比 MER1DMA PanJit Semiconductor
Product Status:New Product, IF(V):1, VRRM Max.(nS):200, TRR(A):35, IFSM(V):35, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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对比 LBAV3004T1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:34W, VR (V):240, IF (mA):200, VF Max(V):1, VF IF(mA):100
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对比 MP012527 MULTICOMP PRO
迷你斜切箱,38 x 35 x 200 毫米,尼龙;
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对比 ER1DAFC PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):200, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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对比 ES1DWG PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):200, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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对比 ES2D PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):2, VRRM Max.(nS):200, TRR(A):35, IFSM(V):50, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):2, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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对比 ER2DF PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):2, VRRM Max.(nS):200, TRR(A):35, IFSM(V):50, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):2, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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对比 ER3DA PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):3, VRRM Max.(nS):200, TRR(A):35, IFSM(V):80, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):3, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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对比 ER1DF PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):200, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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对比 GS1D-AU PanJit Semiconductor
Product Status:Active, AEC-Q101 Qualified(A):Y, IF(V):1, VRRM Max.(A):200, IFSM(V):35, VF Max.(A):1.1, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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对比 GH1D-AU PanJit Semiconductor
Product Status:Active, AEC-Q101 Qualified(A):Y, IF(V):1, VRRM Max.(A):200, IFSM(V):35, VF Max.(A):1.1, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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