2sc3356_2sc3356中文资料_datasheet5电子元器件查询网

对比	型号	厂商	描述	价格
对比	2SC3356	NEC Compound Semiconductor Devices Ltd	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356	NEC Electronics America Inc	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
AD	2SC3735-T1B-A	Renesas	双极晶体管,2SC3735 - RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A, NPN 数据手册立即购买了解更多		数据手册立即购买
对比	2SC3356	Renesas Electronics Corporation	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356	California Eastern Laboratories (CEL)	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356	NEC Electronics Group	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356	Luguang Electronic Technology	双极型晶体管, 12V, 0.1A, 6000MHZ, -55-150℃	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356	Inchange Semiconductor Company Ltd	Bipolar Transistors;NPN;0.1A;12V;SOT-23	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356	广东奥科		获取价格 -	ECAD 数据手册替代料
对比	2SC3356	Galaxy Microelectronics	12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 12V, 0.1A, 50, 300, 10V	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356	YFW佑风微	SOT23-3L, YFW佑风微, 晶体管, 晶体管	获取价格 -	ECAD 数据手册替代料
对比	2SC3356S	SHIKUES 時科	Ic:100mA, Vceo:12V, Pcm:200mW	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356T	Galaxy Microelectronics	12V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 12V, 0.1A, 50, 300, 10V	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	L2SC3356LT1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:R24, IC (mA):100, VCEO (V):12, hFE Min / Max:82/270, hFE IC/VCE (mA)/(Volts):10/3	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	L2SC3356WT1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:24, IC (mA):100, VCEO (V):12, hFE Min / Max:82/270, hFE IC/VCE (mA)/(Volts):10/3	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356 R25	SLKOR萨科微	三极管(BJT), 12V, 100mA, 200mW, 3V, 5.5GHz, SOT-23	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356DW	SHIKUES 時科	Ic:100mA, Vceo:12V, Pcm:mW	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356-3L	Galaxy Microelectronics	12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 12V, 0.1A, 50, 300, 10V	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	L2SC3356RLT1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:25R, IC (mA):100, VCEO (V):12, hFE Min / Max:125/250, hFE IC/VCE (mA)/(Volts):10/3	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	L2SC3356RWT1G	LRC Leshan Radio Co Ltd	Device Marking:25R, IC (mA):100, VCEO (V):12, hFE Min / Max:125/250, hFE IC/VCE (mA)/(Volts):10/3	获取价格 -	请求模型数据手册替代料
对比	2SC3356K	SHIKUES 時科	Ic:100mA, Vceo:10V, Pcm:200mW	获取价格 -	请求模型数据手册替代料

2SC3356

登录

注册

完善资料