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30-1-150-35-E3

” 的搜索结果(共 87 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 30-1-150-35-E3 LCF Enterprises
Narrow Band High Power Amplifier,
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对比 ER1CAFC PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):150, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:150
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AD HMC272AMS8ETR Arrow
Up/Down Conv Mixer 3GHz 8-Pin MSOP T/R
对比 ES1CWG PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):150, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:150
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对比 ER1CF PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):150, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:150
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对比 WPT25CD1MF WPMSEMI 维攀电子
-, Uni, 6000, 25, 26.5, 30, 1, 5, 35, 200
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对比 CLAMP0504P WPMSEMI 维攀电子
-, 5, 1, 6, 15.5, 30, 5, 1, 150, DFN1616-6L
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对比 SS10150FL PanJit Semiconductor
Product Status:Active, Type(V):Standard, VRRM Max.(A):150, IF(A):1, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.85, @IF(µA):1, IR Max.(V):30, @VR:150
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对比 LNB83028DT0AG LRC Leshan Radio Co Ltd
VDSS (V):30, VGS(V):20, ID (A) TA:35, VGSth Min (V):1, td(on) (ns):8
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对比 ERT1CAFC PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):150, TRR(A):25, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:150
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对比 ER1BAFC PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):100, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:100
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对比 ER1EAFC PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):300, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):1.25, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:300
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对比 ER1GAFC PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):400, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):1.25, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:400
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对比 ES1BWG PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):100, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:100
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对比 ES1GWG PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):400, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):1.25, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:400
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ECAD
footprint 3dModel
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对比 ER1AF PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):50, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:50
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对比 ER1DF PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):200, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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对比 ER1JF PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):600, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):1.7, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:600
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对比 ER1AAFC PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):50, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:50
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对比 ER1DAFC PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):200, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:200
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对比 ES1AWG PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):1, VRRM Max.(nS):50, TRR(A):35, IFSM(V):30, VF Max.(A):0.95, @IF(µA):1, IR Max.(V):1, @VRRM:50
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