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NE25137M

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对比 NE25137M California Eastern Laboratories (CEL)
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, CASE 37, 4 PIN
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AD FGY120T65SPD-F085 Onsemi
IGBT/MOSFET驱动器,FGY120T65 - IGBT, 650V, 120A Field Stop, Trench With Soft Fast Recovery Diode
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