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Manufacturer(62): 全部 STMicroelectronics N.V.(12929) Cypress Semiconductor Corp.(5541) Silicon Storage Technology, Inc.(2981) Advanced Micro Devices, Inc.(758) Intel, Corp.(632) Eon Silicon Solution, Inc.(585) Integrated Silicon Solution, Inc.(522) Infineon Technologies AG(384) Winbond Electronics, Corp.(291) Qimonda AG(291)
Category(31): 全部 SRAM(4699) FLASH(2450) PROM(1630) DRAM(713) 存储器(407) 组合存储器(168) 光电耦合器(145) 微控制器/微处理器(128) EEPROM(86) 外设及接口(48)

  • [16MBIT][RDRAM][3.3V]

    Category: DRAM
    Description: 2M X 9 RAMBUS, PSVP32

    blank

  • [16MBIT][RDRAM][5V]

    Category: DRAM
    Description: 2M X 9 RAMBUS, PSVP32

    blank

  • [4MBIT][RDRAM]

    Category: DRAM
    Description: 512K X 9 RAMBUS, PSVP32

    blank

  • 28F016SA16-MBIT

    Description: Evaluation Kit/Evaluation System for the MAX5954L/MAX5954A
    中文描述：（1兆比特× 16。2兆比特× 8）FlashFile记忆

    28F016SA16-MBIT

    Intel, Corp.

  • CY7C1426AV18

    Description: 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst结构,36-Mbit QDR-II SRAM)
    中文描述：的36 - Mbit QDR - II型SRAM的4字突发架构（4字突发结构,36 - Mbit的QDR - II型的SRAM）

    CY7C1426AV18

    Cypress Semiconductor Corp.

  • TNETA1555

    Description: 155.52-Mbit/S Clock-Recovery Device(155.52-MBIT/S时钟恢复装置)
    中文描述：155.52 - Mbit / s的时钟恢复装置（155.52 - Mbit / s的时钟恢复装置）

    TNETA1555

    Texas Instruments, Inc.

  • TNETA1556

    Description: 155.52-Mbit/S Clock-Recovery Device(155.52-MBIT/S时钟恢复装置)
    中文描述：155.52 - Mbit / s的时钟恢复装置（155.52 - Mbit / s的时钟恢复装置）

    TNETA1556

    Texas Instruments, Inc.

  • AT52BC1661A

    Description: 16-Mbit Flash 8-Mbit PSRAM Stack Memory
    中文描述：16 - Mbit闪存8兆移动存储芯片堆栈内存

    AT52BC1661A

    Atmel, Corp.

  • AT52BC1661AT

    Description: 16-Mbit Flash 8-Mbit PSRAM Stack Memory
    中文描述：16 - Mbit闪存8兆移动存储芯片堆栈内存

    AT52BC1661AT

    Atmel, Corp.

  • AT52BC3221A

    Description: 32-Mbit Flash + 8-Mbit PSRAM Stack Memory
    中文描述：32 - Mbit闪存8兆移动存储芯片堆栈内存

    AT52BC3221A

    Atmel, Corp.

  • AT52BC3221AT

    Description: 32-Mbit Flash + 8-Mbit PSRAM Stack Memory
    中文描述：32 - Mbit闪存8兆移动存储芯片堆栈内存

    AT52BC3221AT

    Atmel, Corp.

  • AT52BC6402A

    Description: 64 MBIT FLASH 16 MBIT PSRAM
    中文描述：64 Mbit闪存16兆比特移动存储芯片

    AT52BC6402A

    Atmel, Corp.

  • AT52BC6402AT

    Description: 64 MBIT FLASH 16 MBIT PSRAM
    中文描述：64 Mbit闪存16兆比特移动存储芯片

    AT52BC6402AT

    Atmel, Corp.

  • AT52BR6408A

    Description: 64-Mbit Flash, 8-Mbit SRAM (x16 I/O)
    中文描述：64 - Mbit闪存，8兆位的SRAM（x16的I / O）

    AT52BR6408A

    Atmel, Corp.

  • AT52BR6408AT

    Description: 64-Mbit Flash, 8-Mbit SRAM (x16 I/O)
    中文描述：64 - Mbit闪存，8兆位的SRAM（x16的I / O）

    AT52BR6408AT

    Atmel, Corp.

  • CY7C1313BV18

    Description: 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst结构,18-Mbit QDR-II SRAM)
    中文描述：18兆位QDR - II型SRAM的4字突发架构（4字突发结构,18 - Mbit的QDR - II型的SRAM）

    CY7C1313BV18

    Cypress Semiconductor Corp.

  • CY7C1315BV18

    Description: 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst结构,18-Mbit QDR-II SRAM)
    中文描述：18兆位QDR - II型SRAM的4字突发架构（4字突发结构,18 - Mbit的QDR - II型的SRAM）

    CY7C1315BV18

    Cypress Semiconductor Corp.

  • CY7C1461AV33

    Description: 36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture(带NoBL结构的36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM)
    中文描述：36兆位（1米x 36 / 2 M中的x 18/512K × 72）流体系结构，通过与总线延迟（带总线延迟结构的的36 - Mbit通过的SRAM（100万x 36 / 2 M中的x 18/512K × 72）流的SRAM ）

    CY7C1461AV33

    Cypress Semiconductor Corp.

  • CY7C1463AV33

    Description: 36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture(带NoBL结构的36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM)
    中文描述：36兆位（1米x 36 / 2 M中的x 18/512K × 72）流体系结构，通过与总线延迟（带总线延迟结构的的36 - Mbit通过的SRAM（100万x 36 / 2 M中的x 18/512K × 72）流的SRAM ）

    CY7C1463AV33

    Cypress Semiconductor Corp.

  • CY7C1465AV33

    Description: 36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture(带NoBL结构的36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM)
    中文描述：36兆位（1米x 36 / 2 M中的x 18/512K × 72）流体系结构，通过与总线延迟（带总线延迟结构的的36 - Mbit通过的SRAM（100万x 36 / 2 M中的x 18/512K × 72）流的SRAM ）

    CY7C1465AV33

    Cypress Semiconductor Corp.

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